时间：2025/8/2 1:27:18
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PT4515CE89C 是一款由 Polytron Technologies 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效功率转换和控制的电子设备中。该器件具有较低的导通电阻、较高的工作电流和良好的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、电源管理系统、电机驱动电路等应用。PT4515CE89C 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频率下工作，同时保持较低的开关损耗。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（Id）：15A
漏极-源极击穿电压（Vds）：40V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
阈值电压（Vgs(th)）：1.2V 至 2.5V
输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：30ns（典型值）
PT4515CE89C 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）为 38mΩ，这使得在高电流工作时能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件支持高达 15A 的连续漏极电流，能够满足大功率应用的需求。
其 40V 的漏极-源极耐压能力使其适用于中等电压的电源转换系统，如同步整流器和负载开关。
该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和使用。
其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路设计，同时阈值电压在 1.2V 至 2.5V 之间，确保了较低的开启电压需求。
输入电容为 1100pF，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。
反向恢复时间（trr）为 30ns，表明其具备良好的开关性能，适用于高频开关电源和马达控制电路。
整体而言，PT4515CE89C 是一款性能稳定、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种工业和消费类电子应用。
PT4515CE89C 主要应用于需要高效功率控制的电路中。例如，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于同步整流或主开关元件，提高转换效率并降低发热。
在电源管理系统中，PT4515CE89C 可作为负载开关或电池保护开关，实现对高电流负载的快速控制。
在电机驱动器和马达控制电路中，该器件可用于 H 桥结构中的高端或低端开关，提供高效的功率输出。
此外，它还可用于 LED 驱动电路、电源适配器、便携式设备电源管理以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其具备良好的热稳定性和高频响应能力，PT4515CE89C 也适用于音频功率放大器和 UPS（不间断电源）系统中的开关电源部分。
总的来说，该 MOSFET 是一款适用于多种中高功率应用的理想选择。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDS4410, AO4406, FDV303N
