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IRF9630STRLPBF 发布时间 时间:2025/5/10 16:25:36 查看 阅读:4

IRF9630STRLPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用TO-263封装形式(也称为D2PAK),适合用于各种功率转换和开关应用。它具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点,使其在功率电子领域中广泛应用。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:0.18Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:45nC(典型值)
  总电容:150pF(典型值)
  开关频率:高达500kHz
  功耗:90W(最大值,取决于散热条件)

特性

IRF9630STRLPBF具有较低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高效率。
  该器件的高击穿电压能够承受较大的瞬态电压,从而提高了系统的可靠性。
  其快速的开关速度减少了开关损耗,适用于高频功率转换应用。
  TO-263封装形式提供了良好的热性能和电气性能,方便安装与使用。
  此外,这款MOSFET还具备较高的电流处理能力,使其适合驱动大功率负载。

应用

IRF9630STRLPBF广泛应用于多种功率电子设备中,例如直流-直流转换器、电机驱动器、开关电源、逆变器以及音频放大器等场景。
  在汽车电子领域,它可以作为继电器或保险丝的替代品,用于控制各种负载。
  在工业自动化系统中,该器件可用于实现高效功率管理。
  同时,由于其出色的开关性能,也可用于通信设备中的信号切换功能。

替代型号

IRF630N,
  IRF630G,
  IRF630NPBF,
  IXTH10N100L

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IRF9630STRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 3.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF9630STRLPBF-NDIRF9630STRLPBFTR