PST9229NR是一款由Nexperia生产的MOSFET晶体管,采用DFN1412D-6封装形式。该器件是一种高能效的开关元件,主要用于功率转换和电源管理应用。由于其小型化设计和出色的电气性能,这款MOSFET非常适合于便携式电子设备、消费类电子产品以及通信设备中的高效能电路设计。
此款MOSFET为逻辑电平驱动,能够实现低导通电阻以减少功耗,同时具备快速开关能力。它的耐压范围和电流处理能力使其成为多种应用场景的理想选择。
类型:增强型MOSFET
极性:N通道
最大漏源电压(V_DSS):30V
连续漏极电流(I_D):2.8A
栅极电荷(Q_g):8nC
导通电阻(R_DS(on)):35mΩ(在V_GS=4.5V时)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:DFN1412D-6
PST9229NR具有非常低的导通电阻,这使得它在开关应用中能够有效降低传导损耗。此外,其快速的开关速度有助于减少开关损耗,从而提高整体效率。
该器件还具备良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持可靠的性能表现。再加上其小尺寸封装,这使它非常适合空间受限的设计场景。
另外,由于采用了逻辑电平驱动技术,这款MOSFET可以轻松与微控制器或其他低电压信号源进行接口连接,简化了系统设计过程。
PST9229NR广泛应用于各类需要高效功率开关的场合,包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统(BMS)、LED驱动器、USB充电端口保护等。在这些应用中,它可以提供高效的功率传输和精准的控制功能,同时确保系统的可靠性和稳定性。
例如,在移动设备中,这款MOSFET可用于优化电源管理,延长电池续航时间;而在工业领域,它可以用于精确控制各种电机或负载的运行状态。
PST2107N, BSC016N04LSG, IRF7415