PST9120NR 时间：2025/6/21 5:11:35 阅读：2

PST9120NR是一款由Diodes Incorporated制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺设计，能够实现低导通电阻和高开关速度，适用于多种电源管理应用。其封装形式为SOT-23-3L，体积小巧，非常适合对空间要求严格的电路设计。
　　PST9120NR主要应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域，凭借其优异的电气性能和可靠性，成为工程师在设计高效能功率转换电路时的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.6A
　　导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：100mΩ
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：70mΩ
　　栅极电荷：1.8nC
　　总电容：150pF
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

PST9120NR具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低功耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力，适用于高频开关应用。
　　3. 小型SOT-23-3L封装，节省PCB空间。
　　4. 提供出色的热稳定性和耐用性，能够在宽广的温度范围内可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　6. 内置ESD保护功能，增强器件抗静电能力。

应用

PST9120NR适用于以下应用场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
　　3. 负载开关和电池保护电路。
　　4. 电机驱动与继电器驱动。
　　5. 各种便携式电子设备的功率管理模块。
　　6. 电信系统中的信号调节和功率分配。
　　7. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑等的充电管理电路。