时间：2025/6/26 22:28:20
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PST8425NR是一款N沟道功率MOSFET，采用PDFN33-8封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中。其出色的热性能和电气特性使其成为高效能功率管理的理想选择。
该器件主要由英飞凌(Infineon)生产，广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：21A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：28nC
输入电容(Ciss)：2080pF
总功耗(Ptot)：10W
工作温度范围(TJ)：-55℃至175℃
PST8425NR具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻(RDS(on))，仅为3.5mΩ，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高脉冲电流承载能力，能够适应各种严苛的应用环境。
3. 采用PDFN33-8封装，提供良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于PCB布局设计。
4. 较宽的工作温度范围(-55℃至175℃)，适用于恶劣环境下的稳定运行。
5. 快速开关速度，减少开关损耗，非常适合高频应用。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计，满足现代电子产品的合规性要求。
PST8425NR适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 汽车电子中的负载切换和电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制和信号传输。
5. 消费类电子产品如笔记本适配器、LED驱动器中的功率管理。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路。
PST8424NR
PST8426NR
