PST572FMT是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率功率转换的理想选择。PST572FMT具有较高的电流处理能力和出色的热性能,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压:60V
最大漏极电流:8.5A
导通电阻:20mΩ
栅极电荷:18nC
开关时间:典型值t_on=19ns,t_off=35ns
工作结温范围:-55℃至175℃
PST572FMT具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,可实现高频操作,减小磁性元件体积。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. TO-263封装具备良好的散热性能,适合紧凑型设计。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 内部结构优化,能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
PST572FMT广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 汽车电子中的电池管理系统及继电器替代方案。
6. 各类保护电路中的限流或短路保护功能实现。
PST572FMA, IRF540N, FDP5720