PST20141ETV 时间：2025/8/7 17:02:17 阅读：17

PST20141ETV 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能射频功率晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）类型。该器件专为在射频功率放大器应用中提供高效率和高功率密度而设计，适用于通信基础设施、广播设备和工业射频系统等领域。

参数

类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：LDMOS
　　最大漏极电流（Id）：5.0 A
　　最大漏极-源极电压（Vds）：65 V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　工作频率范围：1.8 GHz ~ 2.7 GHz
　　输出功率（Pout）：典型值 20 W
　　增益：典型值 18 dB
　　效率：典型值 65%
　　封装类型：表面贴装（SOT-223）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

PST20141ETV 的主要特性包括高功率密度、优异的热稳定性和出色的射频性能。其 LDMOS 技术使其能够在高频范围内保持高效率和线性度，同时提供较大的输出功率。该器件的高增益特性减少了对外部放大级的需求，从而简化了电路设计并降低了整体系统成本。
　　此外，PST20141ETV 具备良好的输入和输出阻抗匹配能力，能够轻松集成到各种射频功率放大器设计中。其 SOT-223 表面贴装封装提供了紧凑的尺寸，适用于空间受限的应用场景，并且具有良好的散热性能以确保长期工作的可靠性。
　　该晶体管在 1.8 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内表现优异，适合用于蜂窝通信、Wi-Fi 基站、广播发射机和其他射频功率放大器系统。其高效率和线性度特性使其在需要低失真和高能效的应用中尤为适用。

应用

PST20141ETV 主要用于射频功率放大器设计，适用于无线通信基础设施、广播发射机、工业射频加热设备以及测试测量仪器等领域。其高频性能和高功率输出能力使其成为 2 GHz 至 2.7 GHz 频段应用的理想选择，例如 LTE 基站、WiMAX 系统、DVB-T 发射机等。
　　此外，该器件也广泛应用于需要高线性度和高效率的射频放大系统，如软件定义无线电（SDR）、无线接入点和射频信号发生器。由于其优异的热稳定性和可靠性，PST20141ETV 也适用于长时间连续工作的工业和通信设备。