KTC4075E-Y 时间：2025/12/28 14:41:03 阅读：9

KTC4075E-Y是一款双N沟道增强型功率MOSFET，常用于高效率电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，同时具备良好的热稳定性。封装形式通常为SOP-8或DFN等小型封装，适合高密度PCB设计。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：8A（单沟道）
　　导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS=10V, 30mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8 / DFN
　　功率耗散(PD)：2.5W

特性

KTC4075E-Y具有低导通电阻的特性，使其在高电流应用中表现出较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了更优的开关性能和导通性能，适用于高频开关电源设计。
　　其双N沟道结构设计使得两个独立的MOSFET集成在一个封装中，节省了PCB空间并提高了集成度。
　　KTC4075E-Y具备较高的热稳定性和良好的散热性能，确保在高负载条件下的可靠运行。
　　此外，该器件具有较高的抗静电能力（ESD）和良好的过温保护特性，适用于各种工业和消费类电子应用。

应用

KTC4075E-Y广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及电机驱动电路中。
　　其高电流能力和低导通电阻特性，使其非常适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理电路。
　　在电源适配器、USB PD充电器等高效率电源系统中，KTC4075E-Y可作为主开关或同步整流开关使用。
　　此外，该器件也可用于LED背光驱动、LED照明以及各类工业控制系统的功率开关电路。