RLZTE-1133B 时间：2025/12/25 11:37:23 阅读：12

RLZTE-1133B是一款由Rohm Semiconductor生产的表面贴装稳压二极管（Zener Diode），属于RLZTE系列。该系列二极管采用小型SOD-523封装，具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点，广泛应用于便携式电子设备中的电压参考、过压保护和电源调节等场景。RLZTE-1133B的标称齐纳电压为3.3V，在额定工作电流下能够提供稳定的电压输出，适用于低功耗电路设计。该器件符合AEC-Q101汽车级标准，并具备良好的温度稳定性和长期可靠性，适合在工业控制、消费电子及车载系统中使用。
　　RLZTE-1133B采用先进的芯片制造工艺，确保了其在小封装下仍能保持优异的电气性能。其低动态电阻特性使其在负载变化时仍能维持输出电压的稳定，同时具备较低的漏电流，有助于提升整体系统的能效表现。此外，该器件还通过了无铅（Pb-free）和RoHS环保认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　封装/外壳：SOD-523
　　标称齐纳电压：3.3V
　　容差：±2%
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗：40Ω
　　最大功率耗散：200mW
　　工作结温范围：-55°C ~ 150°C
　　温度系数：+0.07%/°C
　　反向漏电流：≤1μA @ VR=1V

特性

RLZTE-1133B作为一款高性能的表面贴装齐纳二极管，其核心优势在于高精度与高稳定性的结合。该器件的电压容差控制在±2%以内，显著优于普通齐纳二极管的±5%或更宽范围，这使得它非常适合用于需要精确电压基准的应用场合，例如模数转换器（ADC）的参考电压源、传感器信号调理电路以及微控制器的复位电路等。其在5mA测试电流下的稳定工作特性，配合低至40Ω的最大齐纳阻抗，有效降低了因负载波动引起的输出电压漂移，提升了系统整体的稳定性与响应速度。
　　该器件采用SOD-523超小型封装，尺寸仅为1.0mm x 0.6mm x 0.45mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对空间高度敏感的产品设计。尽管封装微小，但其热设计经过优化，能够在200mW的最大功率下可靠运行，且具备良好的散热性能。得益于罗姆独有的芯片结构与钝化工艺，RLZTE-1133B表现出极低的反向漏电流（≤1μA @ VR=1V），即使在高温环境下也能保持出色的关断特性，避免不必要的静态功耗增加。
　　温度稳定性方面，RLZTE-1133B具有+0.07%/°C的正温度系数，这一数值处于同类产品中的领先水平，意味着其电压随温度的变化非常平缓，有利于在宽温环境中维持电路性能的一致性。对于需要长期运行的工业控制系统或户外电子设备而言，这种特性至关重要。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其已通过严格的汽车级可靠性测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等多项考核，因此也可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对元器件品质要求极高的领域。