时间：2025/5/10 18:38:47
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PSS50SA2FT是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用SOT-23封装形式。该器件适用于低电压应用场合，具有较低的导通电阻和快速开关特性，非常适合便携式设备、电池供电系统以及消费类电子产品的电源管理电路。其出色的性能使其成为众多小型化设计的理想选择。
该芯片通过优化的制造工艺，在保持小体积的同时实现了高效的电力传输，同时具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足各种严苛的工作环境要求。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.3A
导通电阻(Rds(on))：150mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：450mW
结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
PSS50SA2FT具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频操作场景。
3. 小型化的SOT-23封装，节省PCB空间，便于布局设计。
4. 高度可靠的电气和热性能，适用于各种复杂工作条件。
5. 较宽的工作温度范围，适应性强，能够在极端环境下正常运行。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接和生产加工。
PSS50SA2FT广泛应用于多种领域和产品中，例如：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池管理系统中的保护电路。
3. 消费类电子产品的小型DC-DC转换器。
4. 信号切换与隔离控制电路。
5. 各种低压逻辑电平兼容的应用场景。
6. 照明系统的驱动电路及功率分配模块。
7. 其他需要高效能功率开关的场合。
AO3400A
IRLML6402
FDMC866
BSS138
