PSS50SA2FT 时间：2025/5/10 18:38:47 阅读：25

PSS50SA2FT是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用SOT-23封装形式。该器件适用于低电压应用场合，具有较低的导通电阻和快速开关特性，非常适合便携式设备、电池供电系统以及消费类电子产品的电源管理电路。其出色的性能使其成为众多小型化设计的理想选择。
　　该芯片通过优化的制造工艺，在保持小体积的同时实现了高效的电力传输，同时具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足各种严苛的工作环境要求。

参数

最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：1.3A
　　导通电阻(Rds(on))：150mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
　　总功耗(Ptot)：450mW
　　结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

PSS50SA2FT具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频操作场景。
　　3. 小型化的SOT-23封装，节省PCB空间，便于布局设计。
　　4. 高度可靠的电气和热性能，适用于各种复杂工作条件。
　　5. 较宽的工作温度范围，适应性强，能够在极端环境下正常运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接和生产加工。

应用

PSS50SA2FT广泛应用于多种领域和产品中，例如：
　　1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
　　2. 电池管理系统中的保护电路。
　　3. 消费类电子产品的小型DC-DC转换器。
　　4. 信号切换与隔离控制电路。
　　5. 各种低压逻辑电平兼容的应用场景。
　　6. 照明系统的驱动电路及功率分配模块。
　　7. 其他需要高效能功率开关的场合。