产品系列：OptiMOS?
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：25 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：130 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：180 A
　　导通电阻RDS(on) @4.5V VGS：典型值 0.75 mΩ，最大值 1.1 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @2.5V VGS：典型值 1.0 mΩ，最大值 1.6 mΩ
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值 1.0 V，范围 0.8 V ~ 1.3 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 3300 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 950 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 10 ns
　　栅极电荷（Qg）@4.5V VGS：典型值 45 nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：PowerSO-8 (PG-TSDSON-8)
　　是否符合RoHS：是

PSS25NC1FT具备多项先进特性，使其在同类产品中表现出色。首先，其超低的导通电阻RDS(on)显著减少了在大电流条件下的导通损耗，提高了整体能效，这对于电池供电设备或追求高能效的电源系统尤为重要。该器件在4.5V VGS下的RDS(on)最大仅为1.1mΩ，在2.5V VGS下也仅为1.6mΩ，表明其在低驱动电压下仍能保持良好的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　其次，PSS25NC1FT采用了Infineon先进的沟槽栅技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度，同时有效降低了寄生参数的影响。这种结构设计不仅增强了器件的开关速度，还减小了开关过程中的能量损耗，有助于实现更高的开关频率，进而缩小外围无源元件（如电感和电容）的体积，提升系统功率密度。
　　第三，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这直接降低了驱动电路所需的功耗，并减少了开关瞬态过程中的电压振荡风险，提升了系统的稳定性和EMI性能。其输入电容和输出电容均经过优化，有利于实现快速响应和高效能量传输。
　　第四，PowerSO-8封装采用底部散热焊盘设计，能够通过PCB有效导出热量，显著改善热阻性能。相比传统SO-8封装，该封装在相同尺寸下提供了更好的热管理能力，允许器件在较高环境温度下持续运行而不发生热失效。
　　最后，PSS25NC1FT具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在严苛的工业环境中可靠运行。综合来看，这些特性使PSS25NC1FT成为高性能电源管理应用的理想选择。

PSS25NC1FT广泛应用于多种需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用之一是同步降压转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，常见于服务器、台式机主板和高端显卡的CPU/GPU供电方案。其低RDS(on)和快速开关特性可显著提升转换效率，降低温升。
　　在DC-DC电源模块中，该器件可用于隔离与非隔离拓扑的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管，大幅提高转换效率并减少散热需求。这一优势在通信电源、嵌入式系统和工业电源中尤为突出。
　　此外，PSS25NC1FT适用于负载开关电路，用于控制电源轨的通断，例如在便携式设备中管理不同功能模块的供电，防止浪涌电流冲击。其快速开启和关闭能力有助于实现精确的电源时序控制。
　　在电机驱动领域，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，该MOSFET可用于实现双向转速控制。得益于其高电流承载能力和低导通损耗，系统可在长时间运行下保持高效与稳定。
　　其他应用场景还包括热插拔控制器、OR-ing二极管替代、电池管理系统（BMS）中的充放电控制，以及各种高密度电源适配器和POL（Point-of-Load）转换器。凭借其优异的热性能和紧凑封装，PSS25NC1FT特别适合对空间和能效有严格要求的设计。

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　　 "BSC025N03LS G",
　　 "BSC030N03MS",
　　 "IRLHS6242",
　　 "AOZ5235EQI"
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