时间：2025/8/10 16:25:33
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PSP0C0AA43RQ 是由 Rohm（罗姆）半导体公司生产的一款 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低损耗的功率应用设计，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统中。这款 MOSFET 采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适合用于高功率密度和紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V（最大）
连续漏极电流（Id）：100A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（最大，@Vgs=10V）
功耗（Pd）：140W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220AB
PSP0C0AA43RQ 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有出色的电气性能和热管理能力。其导通电阻非常低，仅为 4.3mΩ，这意味着在高电流下也能保持较低的功率损耗，减少发热，提高系统效率。该器件支持高达 100A 的连续漏极电流，适用于需要大电流驱动的应用，如电源转换和电机控制。
这款 MOSFET 的漏源电压为 30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中压功率应用。其栅源电压最大可达 20V，确保了在高电压驱动条件下仍能保持稳定的导通状态。此外，PSP0C0AA43RQ 的最大功耗为 140W，具备良好的散热性能，适合长时间高负载运行。
该 MOSFET 采用 TO-220AB 封装，这种封装形式具有良好的机械稳定性和散热能力，便于安装在散热片上，适用于工业级应用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保了在极端环境条件下仍能正常工作，适用于汽车电子、工业自动化、消费类电子产品等广泛领域。
从制造工艺来看，PSP0C0AA43RQ 使用了罗姆先进的功率 MOSFET 技术，确保了其在高频开关应用中的性能稳定性。低导通电阻和快速开关速度相结合，使其在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等应用中表现出色。
PSP0C0AA43RQ 主要应用于需要高电流和低导通损耗的功率管理系统中。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统以及汽车电子中的功率控制模块。由于其优异的热性能和高可靠性，也常用于高功率密度的电源设计中。
SiHH100N30AF, FDP100N30, IPP100N30BG
