类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　漏源击穿电压（VDS）：-40V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值约7.5mΩ（在VGS = -10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

PSP0800A44RQ4 是一款专为高效率功率转换而优化的P沟道MOSFET。其主要特性之一是具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率负载切换和电源管理应用。
　　此外，PSP0800A44RQ4 在高温环境下仍能保持稳定的性能，具备良好的热稳定性。其较高的栅极耐压能力（±20V）允许在较宽的控制电压范围内工作，从而增强了其在各种开关电路中的适用性。
　　该器件还具有快速的开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于集成到PCB设计中。
　　综合来看，PSP0800A44RQ4 凭借其低导通电阻、高电流能力、良好的热稳定性和快速开关特性，成为电源管理、电机控制、电池供电系统以及工业自动化设备中的理想选择。

PSP0800A44RQ4 主要用于需要高电流承载能力和低导通电阻的功率MOSFET应用。典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、工业自动化设备以及电源管理模块。由于其具备高可靠性和热稳定性，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电系统和电池保护电路。

IPD90P03P4-03 , STP80PF40P