时间：2025/12/29 17:01:08
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PSND75E/02是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。该器件基于先进的超结（Super Junction）技术，具备较低的导通电阻和出色的开关性能，能够在高频率下稳定工作。PSND75E/02采用了DPAK（TO-252）封装形式，适用于表面贴装工艺，便于在紧凑型PCB设计中使用。该MOSFET适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理电路，如AC-DC转换器、DC-DC变换器、负载开关和电机控制应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：750V
连续漏极电流（Id）：11A（在Tc=100°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.38Ω
栅极电荷（Qg）：典型值为34nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DPAK（TO-252）
PSND75E/02采用了意法半导体的创新超结技术，显著降低了导通损耗并提高了开关性能。其导通电阻仅为0.38Ω，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。该器件具备11A的连续漏极电流能力，适用于中高功率应用。此外，PSND75E/02的栅极电荷仅为34nC，有助于减少开关损耗，从而在高频开关电源中实现更高的效率。该MOSFET的漏源击穿电压高达750V，确保其在高压环境下稳定运行。PSND75E/02还具备良好的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。其DPAK封装形式不仅便于安装，还能有效散热，适用于表面贴装技术（SMT），适合大规模自动化生产。该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计要求。
PSND75E/02广泛应用于多种电源管理系统，包括AC-DC和DC-DC转换器、离线电源、LED照明驱动电路、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。该MOSFET特别适用于需要高效率、高可靠性和紧凑型设计的电源系统，例如服务器电源、电信设备电源、消费类电子产品电源模块以及智能家电中的功率管理单元。此外，PSND75E/02也可用于电池充电电路、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换部分。由于其优异的导通和开关性能，该器件在高频开关电源中表现出色，能够有效提升系统整体效率。同时，其良好的热稳定性和高耐压能力使其在高温和高压环境下依然能够保持稳定运行，适用于各种恶劣工作条件下的电源管理应用。
STD75N75F7AG
STF75N75F7AG
IPD75N75C4S
