型号：14N70-ML
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：700 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：14 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：56 A
　　最大功耗（Pd）：200 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.35 Ω，最大值 0.45 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vth）：典型值 3.5 V，范围 2.5 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 1800 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：约 450 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 100 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-247

14N70-ML作为一款高性能的高压N沟道MOSFET，在多个关键性能指标上表现出色。首先，其高达700V的最大漏源电压使其能够胜任大多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的反激、正激或LLC谐振拓扑中表现优异。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，这对于追求高效率和低发热的应用至关重要。例如，在服务器电源或通信设备电源模块中，使用此类低Rds(on)器件可显著减少热管理难度和散热成本。
　　其次，14N70-ML具备出色的动态特性，包括较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），这有助于减小高频开关过程中的驱动损耗和电压振荡现象。同时，适中的栅极电荷（Qg）水平保证了在较高频率下仍可实现快速开关动作，而不至于因驱动电流过大而增加控制芯片负担。这种平衡设计使得它既能用于几十kHz的传统PWM控制器，也能适应上百kHz的现代数字电源架构。
　　再者，该MOSFET具有良好的热稳定性和长期可靠性。其TO-247封装提供了较大的金属背板面积，有利于通过散热片将热量高效传导至外部环境，从而维持较低的工作结温。高温工作能力（最高+150°C）意味着即使在恶劣环境下也能持续运行，特别适用于工业自动化、医疗电源和户外电力设备等严苛应用场景。
　　最后，14N70-ML内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然不如专门的快恢复二极管那样优秀，但在某些非连续导通模式（DCM）下仍可提供基本的续流路径。结合其坚固的雪崩耐量设计，该器件在面对电压尖峰或负载突变时表现出更强的鲁棒性，减少了意外失效的风险。综合来看，14N70-ML是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的理想选择，适用于中高端电源系统的主开关元件。

14N70-ML广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，典型用途包括离线式AC-DC电源适配器、工业开关电源（SMPS）、LED驱动电源、光伏逆变器辅助电源、电机控制电路、UPS不间断电源以及电信整流模块等。其高压耐受能力和高效导通特性使其特别适合用于反激（Flyback）、正激（Forward）、半桥（Half-Bridge）和LLC谐振变换器等拓扑结构中作为主开关器件。在这些应用中，14N70-ML不仅能够承受输入线路中的高压波动，还能在高频开关过程中保持较低的导通与开关损耗，从而提高整体电源转换效率并减少发热量。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC电源模块、伺服驱动器和变频器中的DC总线开关环节，保障系统在宽温范围和复杂电磁环境下稳定运行。此外，在新能源相关设备如太阳能微型逆变器或储能系统中，14N70-ML也可作为DC-DC升压或隔离转换级的核心开关元件，发挥其高可靠性和长寿命的优势。
　　由于其TO-247封装便于安装散热片并具备良好的机械强度，因此也常见于需要长时间满负荷运行的设备中。例如，在数据中心服务器电源或基站电源模块中，14N70-ML可在高温、高湿和持续振动的环境中保持稳定的电气性能，满足电信级设备对元器件耐用性的严苛要求。同时，其符合RoHS指令的环保特性也使其适用于出口型电子产品和绿色能源项目。
　　在维修和替代设计中，工程师也常选用14N70-ML来替换老化或停产的类似规格MOSFET，凭借其广泛的市场供应和技术支持资源，成为许多电源设计中的首选器件之一。

STP14NK70ZFP
　　IXFH14N70P
　　FQP14N70