时间：2025/8/9 1:19:09
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PSND30E/12 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于各种高功率应用。其封装形式为TO-220，便于散热，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：300V
漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
PSND30E/12 MOSFET具备低导通电阻特性，使其在导通状态下损耗较小，提高了系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高耐压能力，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。
其高栅极电压耐受能力（±20V）确保了在各种工作条件下不会轻易损坏，提高了器件的可靠性。TO-220封装形式不仅有助于有效散热，还能方便地安装在散热片上，适用于高功率密度设计。
该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，能够减少开关损耗并提高整体系统性能。同时，其坚固的结构和良好的抗冲击能力使其在恶劣环境中也能保持稳定运行。
PSND30E/12广泛应用于多种高功率电子设备中，包括电源供应器、电机驱动器、工业自动化控制系统以及电池充电器等。由于其高耐压和高电流能力，该器件也非常适合用于逆变器、变频器以及不间断电源（UPS）系统。
此外，PSND30E/12还可用于DC-DC转换器和LED照明驱动电路中，提供高效能的功率控制解决方案。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和DC-AC逆变器等应用。
STP12NM50ND, FDPF30N150, IRF840
