时间：2025/6/24 12:46:07
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CL10B104KB8WPND 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC)，属于 C0G (NP0) 类介质材料。这种电容器具有高稳定性和低损耗的特性，通常用于高频滤波、耦合和旁路等应用场景。其封装形式为chip类型，适用于表面贴装技术 (SMT) 的电路板装配。该型号遵循严格的工业标准，确保在宽温度范围内的性能一致性。
容量：0.1μF
额定电压：50V
容差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装尺寸：0805
介质材料：C0G (NP0)
ESR：非常低
频率特性：优异
CL10B104KB8WPND 具有出色的温度稳定性，其容量变化在 -55°C 至 +125°C 的范围内几乎保持不变，非常适合对温度敏感的应用场景。
由于采用 C0G 介质材料，该电容器的频率特性和抗老化能力非常优秀，在高频电路中表现出较低的插入损耗。
此外，它具有极低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL)，能够在高频条件下提供稳定的性能。
该型号还具备较高的机械强度和可靠性，适合自动化生产和恶劣环境下的使用需求。
CL10B104KB8WPND 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高稳定性和高频性能的场合。常见的应用领域包括：
1. 高频振荡电路中的滤波和耦合。
2. 射频 (RF) 模块中的信号调理。
3. 微处理器和数字电路的电源去耦。
4. 工业控制设备中的信号隔离。
5. 汽车电子系统中的噪声抑制。
6. 医疗设备中的精确信号处理。
CL10B104KA8NPBD
GRM188R71H104KA88
DKD10A104KAT2J
