类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大漏极电流（ID）：110 A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5 mΩ
　　最大功耗（Ptot）：300 W
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5 V ~ 4 V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-247

SVT10100U 的关键特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 5.5 mΩ，这显著降低了导通损耗并提高了整体能效。这种低电阻特性使得该 MOSFET 能够在高电流条件下运行，而不会产生过多的热量。此外，该器件具有高达 100 V 的漏源击穿电压，使其适用于中高压应用，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电机控制电路。
　　SVT10100U 采用了 STMicroelectronics 的 MDmesh? 技术，该技术通过优化电场分布来提高器件的耐压能力，同时减少开关损耗。这一技术还增强了器件的可靠性和耐用性，特别是在高温和高应力环境下。其高电流容量（最大漏极电流为 110 A）使其成为大功率应用的理想选择。
　　该 MOSFET 的 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，并便于安装在散热器上，以确保长时间运行的稳定性。此外，该封装形式广泛用于工业级应用，具有良好的机械强度和电气隔离性能。SVT10100U 还具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），使其适用于极端环境下的操作，如汽车电子系统和工业自动化设备。
　　另一个重要特性是其栅极阈值电压较低，通常在 2.5 V 至 4 V 之间，这使得该器件能够与常见的逻辑电平驱动电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够承受短时间的过载条件，从而提高了系统的鲁棒性。

SVT10100U 广泛应用于需要高功率处理能力和高效能转换的电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS），以实现高效率的直流-直流转换和能量存储管理。在工业自动化和电机控制方面，SVT10100U 被用于驱动大功率直流电机、步进电机以及各种类型的执行机构，其高电流容量和低导通电阻确保了电机运行的平稳性和效率。
　　该 MOSFET 还常见于消费类电子产品中，如高性能电源适配器、LED 照明驱动器以及大功率充电设备。其高效的能量转换能力有助于减少设备发热，提高能源利用率，并延长设备的使用寿命。此外，在汽车电子系统中，SVT10100U 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统，满足汽车电子对高可靠性和耐高温性能的要求。
　　在可再生能源系统中，例如太阳能逆变器和储能系统中，SVT10100U 也扮演着关键角色，用于实现高效的电能转换和管理。其高耐压和大电流能力使其能够适应太阳能板或电池组输出的高电压和高电流需求。

IRF1405, IPP110N10N3, FDP10100