时间：2025/9/14 7:17:03
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PSMNR90-30BL,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和卓越的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源管理系统。该 MOSFET 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装形式，提供良好的散热性能和机械稳定性，适合广泛应用于汽车电子、工业控制和电源转换设备中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：90 A
导通电阻 RDS(on)：最大 3.1 mΩ（在 VGS = 10 V）
功耗（Ptot）：120 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56（也称 Power-SO8）
引脚数：8
PSMNR90-30BL,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件在高电流应用中具有更低的导通损耗，从而提高系统效率。其采用的 LFPAK56 封装具有优异的热管理性能，有助于提高器件的可靠性和稳定性。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承受能力，可在高负载条件下稳定运行。
另一个重要特性是其栅极驱动电压兼容性良好，支持标准 10 V 驱动电压，适用于多种驱动电路设计。该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过载条件下仍能保持稳定运行。
此外，PSMNR90-30BL,118 采用了先进的 Trench 技术，提供了更优的开关性能，减少开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流器等应用场景。其 LFPAK56 封装还具有无引脚设计，可有效减少寄生电感，提高开关速度并降低电磁干扰（EMI）。
PSMNR90-30BL,118 适用于多种高功率和高效率电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源和电信设备电源模块。此外，该 MOSFET 还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电池保护电路和电动助力转向系统（EPS）等。
在工业自动化和控制系统中，该器件可用于高功率 MOSFET 阵列、功率分配系统和高电流负载控制电路。由于其出色的热性能和高电流能力，PSMNR90-30BL,118 也常用于同步整流器和高效率电源模块中，以实现更高的能量转换效率。
此外，该 MOSFET 可用于高性能电源管理模块、电源分配系统和 UPS（不间断电源）系统，满足高可靠性、高效率和小型化设计的需求。
PSMNZ90-30PL,118
PSMN5R0-30LD
IPB09CN10N3 G
FDMS86180
BSC090N03MS
