时间：2025/9/14 23:06:06
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PSMN9R5-30YLC,115 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及负载开关等场景。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：30V
最大漏极电流(ID)：9.5A
导通电阻(RDS(on))：27mΩ @ VGS = 10V
栅极阈值电压(VGS(th))：1V ~ 2.5V
最大功耗(Ptot)：30W
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
引脚数：8
极性：增强型
PSMN9R5-30YLC,115 采用了Nexperia的先进Trench沟槽技术，确保了器件在高频开关应用中的高效能表现。其低导通电阻（RDS(on)）为27mΩ，在10V栅极驱动电压下可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极阈值电压范围为1V至2.5V，使其适用于多种驱动电路设计。
此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。其采用的LFPAK56（也称为Power-SO8）封装具有优良的热传导性能，有助于提高器件的散热能力，从而提升整体系统的可靠性。
该器件还具备较强的抗雪崩能力和短路耐受能力，可在异常工况下提供一定的安全裕量。其8引脚封装设计允许独立的源极和检测源极引脚，有助于减少开关过程中的寄生电感效应，从而优化高频应用中的性能表现。
PSMN9R5-30YLC,115 广泛应用于各类功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及服务器和通信设备的电源模块。其优异的开关性能和低导通电阻使其在高效率、高密度电源设计中表现出色，特别适用于需要频繁开关操作的场合。
IPD90N310C3, SiSS21DN, BSC090N03MS
