EEVFK1V681Q 时间：2025/6/27 6:35:16 阅读：5

EEVFK1V681Q 是一款由东芝（Toshiba）生产的高压 MOSFET 芯片，属于 U-MOS IX 系列。该器件采用 N 沟道增强型设计，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景中。
　　其高击穿电压和低导通电阻特性使得 EEVFK1V681Q 成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。

参数

型号：EEVFK1V681Q
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源电压：600V
　　最大连续漏电流：1.9A
　　栅极阈值电压：2.7V~4.5V
　　导通电阻（典型值）：1.3Ω
　　总功耗：1.1W
　　工作温度范围：-55℃~150℃

特性

EEVFK1V681Q 的主要特性包括以下几点：
　　1. 高耐压能力：支持高达 600V 的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：在 Vgs=10V 时，典型导通电阻仅为 1.3Ω，有助于降低功耗并提升系统效率。
　　3. 快速开关性能：具有较低的输入和输出电荷，能够实现快速开关，减少开关损耗。
　　4. 强大的抗雪崩能力：可以承受一定的过载条件，提高了产品的可靠性。
　　5. 小型化封装：采用 TO-252 封装形式，适合紧凑型设计需求。
　　6. 宽温工作范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内稳定运行，适应多种环境条件。

应用

EEVFK1V681Q 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源：如适配器、充电器和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
　　2. 电机控制：用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
　　3. 负载开关：适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中的负载切换功能。
　　4. 保护电路：用作过流保护、短路保护等功能模块的关键组件。
　　5. 工业自动化：在工业控制系统中作为信号隔离与功率放大的核心部件。