时间：2025/9/14 0:03:45
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PSMN8R9-100BSE 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源转换应用，具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性。PSMN8R9-100BSE 采用 Trench 9 技术制造，能够在高开关频率下提供优异的性能，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等应用。该 MOSFET 封装为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），提供优良的热管理和高功率处理能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：130A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：8.9mΩ（最大值）
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
功率耗散(PD)：180W
技术：Trench 9
PSMN8R9-100BSE 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，提高系统效率。采用 Trench 9 技术，该器件在高频开关条件下表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。LFPAK56 封装提供了出色的热管理性能，使器件在高功率密度环境下依然保持稳定工作。
该 MOSFET 支持高达 130A 的连续漏极电流，适用于需要大电流驱动的应用，如服务器电源、电动工具、电池保护电路和工业自动化设备。此外，PSMN8R9-100BSE 的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用标准栅极驱动器进行控制，增强了设计的灵活性。
PSMN8R9-100BSE 主要用于高性能电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和功率放大器。其高效率和高功率处理能力使其适用于服务器电源、UPS（不间断电源）、电动工具、储能系统和车载充电器等应用场景。此外，它还可用于工业自动化设备、智能电网系统和工业控制模块。
PSMN9R5-100BSE, PSMN10R5-100BSE, IPB017N10N3 G, STD120N10F7AG
