时间：2025/9/14 16:01:19
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PSMN8R5-100PSQ 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款功率MOSFET器件，采用TrenchMOS技术，适用于高效率电源转换应用。该器件具备低导通电阻和高电流处理能力，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（典型值）
封装类型：Power-SO8
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PSMN8R5-100PSQ 采用了先进的TrenchMOS技术，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而降低了功率损耗并提高了整体效率。该器件的高电流处理能力使其能够在高负载条件下稳定工作，同时具备良好的热稳定性。此外，其坚固的封装设计提供了出色的散热性能，能够在恶劣的环境条件下保持可靠运行。该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。
该器件的栅极驱动要求相对较低，能够在常见的驱动电压下（如10V或12V）实现完全导通，从而简化了驱动电路的设计。此外，PSMN8R5-100PSQ 具有良好的抗雪崩能力，能够在短时间内的过压或过流条件下保持稳定，提高了系统的安全性。
PSMN8R5-100PSQ 主要应用于各种功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的电机驱动电路。其高效率和高可靠性的特点使其成为许多高性能电源设计的理想选择。
SiR144DP-T1-GE3, IPPB80N10S4-03, FDS8876
