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SI4226DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/30 14:24:38 查看 阅读:9

SI4226DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。该芯片采用 TrenchFET 第三代技术,具有低导通电阻和高效率的特性,同时封装形式为小型化的 PowerPAK MLP34-35 封装,非常适合对空间要求较高的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  输入电容:1050pF(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

SI4226DY-T1-E3 的主要特性包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率;其小型化 PowerPAK MLP34-35 封装使其适用于紧凑型设计;同时,芯片具有快速开关速度,能够降低开关损耗。
  此外,该器件支持宽范围的工作结温,适应高温环境下的应用需求。TrenchFET 第三代技术的应用进一步优化了器件的电气性能和热性能,确保在高频应用中表现优异。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载切换开关、电机驱动电路、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的场合。其低导通电阻和快速开关特性特别适合于高性能电源管理系统。

替代型号

SI4226DY, SI4226DP, SI4226DY-T1-GE3

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SI4226DY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1255pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)