SI4226DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。该芯片采用 TrenchFET 第三代技术,具有低导通电阻和高效率的特性,同时封装形式为小型化的 PowerPAK MLP34-35 封装,非常适合对空间要求较高的设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:9nC(典型值)
输入电容:1050pF(典型值)
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
SI4226DY-T1-E3 的主要特性包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率;其小型化 PowerPAK MLP34-35 封装使其适用于紧凑型设计;同时,芯片具有快速开关速度,能够降低开关损耗。
此外,该器件支持宽范围的工作结温,适应高温环境下的应用需求。TrenchFET 第三代技术的应用进一步优化了器件的电气性能和热性能,确保在高频应用中表现优异。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载切换开关、电机驱动电路、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的场合。其低导通电阻和快速开关特性特别适合于高性能电源管理系统。
SI4226DY, SI4226DP, SI4226DY-T1-GE3