时间：2025/5/30 14:24:38
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SI4226DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。该芯片采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特性，同时封装形式为小型化的 PowerPAK MLP34-35 封装，非常适合对空间要求较高的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：1050pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI4226DY-T1-E3 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率；其小型化 PowerPAK MLP34-35 封装使其适用于紧凑型设计；同时，芯片具有快速开关速度，能够降低开关损耗。
此外，该器件支持宽范围的工作结温，适应高温环境下的应用需求。TrenchFET 第三代技术的应用进一步优化了器件的电气性能和热性能，确保在高频应用中表现优异。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载切换开关、电机驱动电路、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的场合。其低导通电阻和快速开关特性特别适合于高性能电源管理系统。
SI4226DY, SI4226DP, SI4226DY-T1-GE3
