时间：2025/9/14 3:28:26
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PSMN8R0-80YLX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效能功率开关应用，具备低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等领域。PSMN8R0-80YLX采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备良好的热管理和电气性能，适合高密度功率设计。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏源电压（VDS）：80V
导通电阻（RDS(on)）：8.0mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：135W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN8R0-80YLX具备多项优异特性，适用于高性能功率应用。其导通电阻仅为8.0mΩ，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源耐压为80V，可承受较高电压应力，适用于中高功率系统。栅极耐压为±20V，确保其在各种驱动条件下的稳定性。
该MOSFET采用LFPAK56封装，具备优异的热性能，可有效散热，提高器件可靠性。封装结构优化了电流路径，降低寄生电感，提升开关性能。此外，该封装支持双面散热，适用于高密度功率模块设计。
PSMN8R0-80YLX具有高电流承载能力，最大连续漏极电流可达160A，适合大电流负载切换。其快速开关特性可减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，该器件具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在恶劣工作环境下的稳定性。
该MOSFET符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化生产流程。其封装设计优化了PCB布局，便于并联使用，提高系统冗余度。
PSMN8R0-80YLX广泛应用于各种功率电子系统中，尤其适用于需要高效率和高可靠性的场合。例如，在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路，以提高能量转换效率。
在工业自动化和电机控制领域，PSMN8R0-80YLX可作为高边或低边开关，用于驱动直流电机、继电器、电磁阀等感性负载，其高耐压和大电流能力确保稳定运行。
在新能源领域，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS），实现电池充放电控制和过流保护。此外，在电动工具、无人机和储能系统中，PSMN8R0-80YLX也表现出优异的性能。
该器件还适用于汽车电子应用，如车载充电器、48V轻混系统、电动助力转向系统等，其高可靠性和优良的热管理能力满足汽车环境的严苛要求。
SiR142DP-T1-GE3, IPB080N08N3 G, STD160N8F7AG, NVTFS5C471NLWTAG
