型号：FB260N
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：130A @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：520A
　　导通电阻RDS(on)：2.6mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：3.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：11800pF @ VDS=30V
　　输出电容Coss：3790pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间trr：45ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-252 (D-Pak)

FB260N具备极低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为2.6mΩ（在VGS=10V条件下），这使得它在大电流应用场景中能够显著减少导通损耗，提升电源系统的整体效率。低RDS(on)意味着在相同电流下产生的热量更少，从而降低了对散热设计的要求，有利于实现紧凑型高功率密度的设计目标。此外，该器件在VGS=4.5V时仍能保持3.5mΩ的低导通电阻，说明其在逻辑电平驱动条件下依然具备优良性能，适用于由微控制器或PWM控制器直接驱动的应用场合。
　　该MOSFET采用了先进的平面场截止（Planar Field-Stop）工艺技术，优化了载流子分布与电场强度之间的平衡，在保证高击穿电压的同时实现了快速开关响应。其输入电容Ciss为11800pF，输出电容Coss为3790pF，这些适中的寄生电容值有助于在高频开关操作中减少驱动功率消耗，并降低开关过程中的电压振荡风险。同时，较短的反向恢复时间trr（45ns）表明体二极管具有较快的恢复能力，有效抑制了交叉导通和直通电流现象，提升了在桥式电路或同步整流中的可靠性。
　　FB260N的额定漏源电压为60V，适合用于48V及以下的直流电源系统，例如服务器电源、电信设备电源模块和电动工具电池管理系统。其高达130A的连续漏极电流能力使其能够承受瞬态过载和峰值负载，增强了系统的鲁棒性。器件的工作结温可达+175°C，具备良好的热稳定性，配合TO-252封装的优良散热性能，可在恶劣环境下长期稳定运行。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（HVGS）和温度循环测试，确保在工业级应用中的长期可靠性。

FB260N广泛应用于各类需要高效大电流开关功能的电力电子系统中。典型应用包括同步降压变换器（Buck Converter），尤其在CPU供电、GPU供电或多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用；还可用于DC-DC升压变换器（Boost Converter）和同步整流电路中以提高能量转换效率。在开关电源（SMPS）中，FB260N可用于主开关管或次级侧整流器件，帮助实现高功率密度和低待机功耗设计。此外，它也适用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器中的功率级，提供快速响应和低损耗的电流控制能力。其他应用场景还包括热插拔控制器、负载开关、电池保护电路以及工业电源模块等。得益于其高电流承载能力和良好的热性能，FB260N特别适合空间受限但要求高性能的嵌入式系统和便携式设备电源设计。

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