时间：2025/9/14 20:38:43
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PSMN7R8-120PSQ 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件采用符合 RoHS 标准的环保封装，适用于各种高效率电源系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：120 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id：200 A（在 Tc=25°C 时）
导通电阻 Rds(on)：7.8 mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散：300 W（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power-SO8
PSMN7R8-120PSQ 以其低导通电阻著称，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其先进的 Trench MOS 工艺确保了优异的电气性能和热管理能力，使器件在高电流条件下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面表现出色，适用于高功率密度设计。此外，其坚固的结构和宽广的工作温度范围使其能够在恶劣环境中可靠工作。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，同时具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，增强了系统的稳定性与安全性。
在封装方面，PSMN7R8-120PSQ 采用了 Power-SO8 封装，这种封装形式不仅具有良好的散热性能，而且便于表面贴装，适用于自动化生产流程。其环保材料设计符合 RoHS 和 REACH 标准，满足现代电子产品对环境友好型元件的要求。
PSMN7R8-120PSQ 适用于多种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、工业电源、服务器电源、电源管理模块、UPS（不间断电源）系统以及电动汽车中的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于新能源汽车、太阳能逆变器及储能系统中。
PSMN9R5-120PSQ, PSMN10R05T1R, IPPB90N12N5, IPB095N12N5
