时间：2025/9/14 7:13:29
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PSMN7R0-30YLC,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。PSMN7R0-30YLC,115广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：150A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.7mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
封装类型：LFPAK56（也称为Power-SO8）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
功率耗散（Ptot）：200W（在25°C）
PSMN7R0-30YLC,115 的最大特点是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中导通损耗极低，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件采用LFPAK56封装，具有优异的热管理性能，能够有效散热，适用于高功率密度的设计。
该MOSFET的高电流承载能力使其能够在极端条件下稳定工作，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
PSMN7R0-30YLC,115 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。其宽工作温度范围也确保了在高温环境下仍能保持良好的电气性能。
PSMN7R0-30YLC,115 常用于高性能电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统（BMS）。此外，该器件也适用于服务器电源、电信设备、电动汽车（EV）充电系统、工业自动化和高功率LED照明驱动电路。
由于其出色的导热性能和高电流能力，PSMN7R0-30YLC,115 在需要高效能和高可靠性的汽车电子系统中得到了广泛应用，如车载充电器、48V轻混系统和电动助力转向系统等。
PSMN6R8-30YLC,115; PSMN9R5-30YLC,115; PSMN11R-30YLC,115
