时间：2025/9/14 15:32:47
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PSMN7R0-30MLC,115是一款由Nexperia（安世半导体）生产的增强型功率MOSFET器件，采用TrenchMOS技术，适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用标准的LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具备优异的热性能和高电流承载能力。该MOSFET的漏源电压（VDS）为30V，适合用于电池管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等低电压高电流应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：100A（在VGS=10V）
导通电阻(RDS(on))：7.0mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：27nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN7R0-30MLC,115采用了先进的TrenchMOS工艺，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高整体效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。
该器件的封装形式为LFPAK56，是一种无引脚、双侧散热的表面贴装封装，提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化生产和高密度PCB布局。此外，该封装设计可有效减少封装电阻和电感，提高高频开关性能。
PSMN7R0-30MLC,115具有宽泛的栅极电压容限（±20V），可在多种驱动条件下保持稳定运行。其快速开关特性有助于减少开关损耗，在高频应用中表现优异。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在瞬态过压和高能脉冲环境下的可靠性。
PSMN7R0-30MLC,115广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源管理：如同步整流器、DC-DC转换器（Buck、Boost、Buck-Boost）、负载开关和电源分配系统。
2. 电池供电设备：如电动工具、笔记本电脑、便携式电子设备中的电池充放电管理系统。
3. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动车辆和工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 服务器和通信设备：用于高效率电源供应器和热插拔模块，确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。
5. 汽车电子：用于车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）等汽车电源系统。
PSMN6R8-30MLC,115; PSMN8R5-30MLC,115; IPP120N10N3 G; SiR142DP
