时间：2025/9/15 0:59:03
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PSMN6R5-25YLC 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能、N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率功率转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。PSMN6R5-25YLC 采用先进的Trench技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）、高功率密度和优异的热性能，使其在高频开关条件下表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：25V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：60A（在25°C下）
最大脉冲漏极电流(IDM)：180A
导通电阻(RDS(on))：最大6.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（也称为Power-SO8）
安装类型：表面贴装（SMD）
PSMN6R5-25YLC 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件的RDS(on)典型值为6.5mΩ，在VGS=10V的条件下工作时，能够显著降低功率损耗。
此外，PSMN6R5-25YLC 采用了LFPAK56封装技术，这种封装不仅提供了优异的热性能，还具有较高的机械强度和可靠性。相比传统TO-252或TO-220封装，LFPAK56封装在表面贴装应用中具有更好的热管理和空间利用率。
该MOSFET支持高电流能力，在25°C环境温度下可提供高达60A的连续漏极电流，并且在脉冲条件下可承受高达180A的电流，使其非常适合用于高功率密度的设计。
其栅极驱动电压范围为±12V，通常在10V时完全导通，适合与标准MOSFET驱动器配合使用。此外，该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于各种严苛环境下的应用。
由于其优异的性能和可靠性，PSMN6R5-25YLC 被广泛应用于服务器电源、通信设备、电池管理系统、电动工具和汽车电子等对功率效率和空间要求较高的领域。
PSMN6R5-25YLC 主要用于需要高效功率转换和高电流承载能力的场合。常见的应用包括同步整流DC-DC降压转换器、负载开关、电源管理模块、服务器电源系统、电池保护电路以及高性能电动工具和便携式设备中的功率控制部分。
此外，由于其出色的热性能和封装优势，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车载信息娱乐系统的电源管理单元。
在工业自动化和控制系统中，PSMN6R5-25YLC 可作为高侧或低侧开关，用于电机驱动、LED照明电源、不间断电源（UPS）以及其他需要高效率功率控制的场合。
SiR142DP-T1-GE3, Nexperia PSMN8R0-25YLC, Infineon BSC060N03MS
