时间：2025/9/14 14:21:28
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PSMN6R1-25MLDX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能、N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术制造。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种电子系统。PSMN6R1-25MLDX采用无铅、符合RoHS标准的封装，适用于需要高可靠性和低功耗的工业级应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：25V
漏极电流（ID）：60A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：6.1mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：-12V至+20V
功耗（Ptot）：75W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN6R1-25MLDX 的关键特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为6.1毫欧，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用了恩智浦的TrenchMOS技术，实现了优异的开关性能和低导通电阻的结合，适用于高频开关应用。
此外，PSMN6R1-25MLDX具备出色的热性能，其LFPAK56（Power-SO8）封装设计能够有效散热，确保在高电流工作条件下的稳定性和可靠性。这种封装还具有较高的机械强度和良好的焊接可靠性，适合自动化生产流程。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，为-12V至+20V，允许使用标准的栅极驱动器进行控制。在过载或短路情况下，该器件能够承受较高的电流应力，并具有良好的抗雪崩能力，提升了系统的鲁棒性。
PSMN6R1-25MLDX符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。
PSMN6R1-25MLDX 广泛应用于多种功率电子系统中，包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及工业自动化控制设备。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能、紧凑型电源设计的理想选择。此外，该器件也常用于笔记本电脑、服务器和电信设备中的电源模块，以实现更高的能效和更长的电池续航时间。
PSMN5R8-25MLD, PSMN7R0-25MLD, IPP065N10N5
