时间：2025/9/15 0:31:18
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PSMN6R0-30YLD 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的功率 MOSFET 器件。该器件属于 NexFET 系列，采用增强型硅基功率 MOSFET 技术，适用于高功率、高频率和高效率的电源转换应用。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）工艺，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A（在25°C）
功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
导通电阻(Rds(on))：最大6.0mΩ（在Vgs=10V）
阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 3V
输入电容(Ciss)：约2200pF
反向恢复时间(trr)：约30ns
PSMN6R0-30YLD 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），最大仅为6mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其采用的LFPAK56（也称为Power-SO8）封装具有优异的热性能和高电流承载能力，能够有效散热，从而在高负载条件下保持稳定运行。
此外，该MOSFET具有快速的开关速度，能够支持高频操作，从而减少开关损耗并缩小外围元件的尺寸。其输入电容较低，有助于减少驱动电路的负担并提高响应速度。
该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或感性负载切换时提供更高的可靠性。由于其封装无引脚设计，降低了寄生电感，从而进一步优化了高频开关性能。
PSMN6R0-30YLD 的栅极驱动电压范围较宽（支持4.5V至20V），可兼容多种驱动器设计，包括低压控制器直接驱动。
PSMN6R0-30YLD 广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中，例如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和高功率LED驱动等。
在服务器和通信电源中，该器件用于同步整流拓扑，以提高整体转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，它常用于高侧和低侧开关，实现高效的电压调节。在电机控制应用中，该器件的低Rds(on)和快速开关特性有助于提高响应速度和能效。
由于其优异的热性能和小封装体积，PSMN6R0-30YLD 也非常适合用于空间受限但要求高性能的设计中。
IPD60R065PFD, SiR340DP, FDS6680, BSC060N03LS
