时间：2025/6/17 1:51:41
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PSMN6R0-30YLB 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 LFPAK56D 封装。这款器件专为高效率和低功耗应用而设计，适合于需要低导通电阻和快速开关性能的场景。其主要用途包括开关电源、DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：6mΩ
栅极电荷：28nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK56D
PSMN6R0-30YLB 具有非常低的导通电阻，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。该器件还具备良好的热性能和电气性能，能够在高温环境下稳定运行。
由于采用了先进的制造工艺，该 MOSFET 的开关速度非常快，有助于减少开关损耗，并且具有较低的栅极电荷，可以减轻驱动电路的负担。
此外，其坚固的封装设计提供了出色的散热能力，确保在高电流应用中的可靠性。
该器件广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信领域。常见的应用包括：
- 开关电源（SMPS）
- DC/DC 转换器
- 电池管理系统（BMS）
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 便携式设备中的电源管理
PSMN6R0-30YLH, PSMN7R0-30YLB
