时间：2025/9/14 11:01:09
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PSMN6R0-30YL,115是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术，提供优异的导通电阻与开关性能的平衡，适用于各种高效率电源转换应用。该MOSFET封装为DFN2020-6（SOT1223）封装，适用于空间受限的高密度设计。PSMN6R0-30YL,115的额定电压为30V，最大连续漏极电流为8.3A，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大连续漏极电流（ID）：8.3A
导通电阻（RDS(on)）：6mΩ @ VGS = 10V
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS = 4.5V
最大功耗（Ptot）：4.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN2020-6 (SOT1223)
安装方式：表面贴装
PSMN6R0-30YL,115具有出色的导通性能和低开关损耗，适用于高效率电源管理系统。其6mΩ的导通电阻在10V栅极驱动下显著降低了导通损耗，提高了系统能效。
该器件采用了Nexperia的Trench肖特基技术，使得MOSFET在保持低导通电阻的同时，具备良好的开关性能，适用于高频开关电源应用。
此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。DFN2020-6封装设计不仅减小了PCB占用面积，还提供了良好的散热性能，适合用于空间受限的便携式电子设备和功率模块。
该器件符合RoHS标准，无卤素，并可通过AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子和工业控制系统。
PSMN6R0-30YL,115广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机控制、电源管理单元以及汽车电子系统等领域。其高效能和小型化设计使其特别适用于便携式设备、智能手机、无线充电器、服务器电源和LED驱动电源等应用。
Si2302DS, STD30NF03L, IPD65R019C6, FDS6675CZ
