时间：2025/9/14 15:17:08
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PSMN5R8-40YS,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效能、高密度的电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热性能。该MOSFET采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，这种封装形式具备出色的散热能力，并且具有较高的机械强度，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器、负载开关等多种应用环境。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：130A
连续漏极电流（Id）@100°C：82A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：5.8mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：8.2mΩ
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN5R8-40YS,115 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，额定漏极电流高达130A，适用于高功率密度设计。
3. LFPAK56封装提供优异的散热性能，有助于提升器件在高负载下的稳定性。
4. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
5. 优化的栅极设计，降低了开关损耗，提升开关性能。
6. 支持快速切换应用，适用于高频开关电源设计。
7. 符合RoHS环保标准，且具备良好的可焊性和装配兼容性。
8. 在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于严苛工况下的应用。
PSMN5R8-40YS,115 适用于多种高功率和高效率需求的应用场景，包括：
1. 汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。
2. 工业电源设备，如服务器电源、UPS不间断电源、工业电机控制等。
3. DC-DC转换器，用于提高转换效率并减少发热。
4. 负载开关和热插拔电路，用于控制高电流负载的接通与断开。
5. 电池供电设备中的电源管理模块，如便携式储能设备、电动工具等。
6. 同步整流电路，用于提升整流效率，降低功耗。
PSMN6R0-40YS,115; PSMN4R5-40YSC; PSMN7R0-40YS
