AP94T07GMT-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于高效率电源转换和负载开关应用。该器件采用先进的工艺制造,具备低导通电阻和优良的热性能,适用于各种电源管理场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds:30V
栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id @25°C:110A
导通电阻 Rds(on):最大 3.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
AP94T07GMT-HF 具备以下主要特性:
? 低导通电阻(Rds(on)):在 Vgs=10V 时最大为 3.5mΩ,有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。
? 高电流能力:在 25°C 环境温度下,可承载高达 110A 的连续漏极电流,适用于高功率应用场景。
? 热性能优越:TO-252(DPAK)封装设计提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定工作。
? 高可靠性:器件符合 RoHS 标准,具备良好的耐用性和稳定性,适用于工业级和汽车级应用。
? 快速开关特性:具备较低的输入电容和开关损耗,适合高频开关应用。
? 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 150°C 的工作环境,适应极端温度条件。
AP94T07GMT-HF 主要应用于以下领域:
? 电源管理系统:包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等,提高系统效率和稳定性。
? 电池管理系统:用于电池充放电控制和保护电路,提供高效可靠的开关解决方案。
? 电机驱动:适用于电机控制电路,满足高电流和高频率的开关需求。
? 服务器和电信设备:用于高功率密度电源模块,支持高可靠性和高效率的运行环境。
? 汽车电子:适用于车载电源管理系统、电动工具和电动汽车中的功率控制模块。
AP94T07GMT-HF 可以被以下型号替代:IRF1324S-7PBF、AP94T07GHMTR-G1、SiS434DK、FDS4410A