时间：2025/9/14 13:03:00
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PSMN5R5-60YS.115是一款由Nexperia（安世半导体）生产的功率MOSFET，采用Trench MOS技术，适用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力及优良的热性能，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电池供电设备中。PSMN5R5-60YS.115采用SOT223封装形式，适用于表面贴装工艺，具备良好的电气性能和可靠性。
型号：PSMN5R5-60YS.115
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.5A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值5.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT223
安装类型：表面贴装
沟道技术：Trench MOS
PSMN5R5-60YS.115采用先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的60V漏源电压额定值使其适用于中高压功率转换应用，例如电源适配器、DC-DC转换器和电机控制电路。其SOT223封装提供了良好的热管理能力，即使在高电流条件下也能保持稳定的工作温度。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性和寿命。
PSMN5R5-60YS.115的栅极驱动电压范围为-20V至+20V，具有较强的抗干扰能力，适用于多种驱动电路。该器件的快速开关特性降低了开关损耗，提高了整体能效。同时，其紧凑的封装设计节省了PCB空间，适用于高密度电路布局。由于其优异的性能指标和广泛的应用适应性，该MOSFET被广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
PSMN5R5-60YS.115适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电池充电器、电机控制器和LED驱动电路。在消费电子产品中，该器件可用于高效能电源适配器和便携式设备的功率管理模块。在工业控制领域，PSMN5R5-60YS.115可作为高效率逆变器或电机驱动电路中的关键元件。此外，其良好的热稳定性和高可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统中的电源转换部分。
IPS511N06N G、FDD6688、IRFZ44N、Si4410DY、FDMS86181
