时间：2025/9/14 16:24:54
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PSMN5R4-25YLDX 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的高性能功率MOSFET器件，属于TrenchMOS技术系列。该器件采用先进的沟槽式设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适用于需要高效率和高功率密度的应用场合。PSMN5R4-25YLDX采用无铅、符合RoHS标准的封装，适用于现代电子设备中对环保要求较高的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：5.4mΩ（最大值，在VGS=10V时）
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN5R4-25YLDX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为5.4毫欧，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用恩智浦的TrenchMOS技术，提供优异的开关性能和热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。
该器件的封装采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装技术，这种封装形式具备优良的热传导性能和较高的机械强度，能够有效提高散热效率，并减少PCB布局中的寄生电感，从而提升整体系统的可靠性和稳定性。LFPAK56封装还具备双面散热能力，使其在高功率密度设计中更具优势。
PSMN5R4-25YLDX 支持高达160A的连续漏极电流，在工作温度范围内（-55°C至175°C）表现出色，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其栅极驱动电压为10V时即可实现最佳导通状态，兼容常见的MOSFET驱动电路，便于集成到各类功率系统中。
该器件的高可靠性设计使其能够承受较大的热应力和机械应力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流、电机控制、电池管理系统（BMS）、负载开关和电源管理单元等。同时，其低Qg（栅极电荷）特性有助于减少开关损耗，提高整体能效。
PSMN5R4-25YLDX 主要应用于高功率密度和高效率需求的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该器件的低RDS(on)和低开关损耗特性可显著提高转换效率，适用于服务器电源、通信设备和嵌入式系统中的电源模块设计。
在电机控制和驱动电路中，PSMN5R4-25YLDX 可用于H桥驱动、直流电机控制和步进电机驱动，其高电流承载能力和快速开关特性能够确保电机运行的稳定性和响应速度。
该MOSFET还广泛应用于电池管理系统（BMS）和负载开关电路中，用于高效控制电池充放电路径和负载隔离，适用于便携式设备、电动工具、无人机和储能系统。
此外，在汽车电子系统中，PSMN5R4-25YLDX 可用于车载充电器（OBC）、DC-DC变换器、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统的电源管理部分，满足汽车工业对高可靠性和长寿命的要求。
SiSSPM160L, NexFET CSD16410Q5BZ, IPB019N06N3 G, AO4496
