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AO3400 发布时间 时间:2024/7/5 15:02:38 查看 阅读:315

AO3400是一款N沟道MOSFET,属于微小型高压MOSFET。它是由Alpha and Omega Semiconductor公司所生产的一种低电阻、高电流、低电压的MOSFET,适用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关等应用。
  AO3400的操作理论与普通MOSFET相同。当在门极施加正电压时,MOSFET的导通电阻很小,电流能够通过管子流过。当门极施加负电压时,MOSFET的导通电阻很大,电流无法通过管子流过。

基本结构

AO3400由P型衬底、N+源区、N+漏区和通道组成。P型衬底上有一层厚度为几个微米的氧化层,这一层氧化层通常被称为门极氧化层。在氧化层上面,有一层接地的金属层,这一层金属层通常被称为门极金属层。在N+源区和N+漏区之间形成了一条通道,这一条通道通常被称为沟道。当在门极金属层上施加正电压时,沟道中的电子被吸引到N+源区,形成N沟道,电流能够通过MOSFET。


参数

额定电流:4A
  额定电压:30V
  静态电阻:0.035Ω
  封装:SOT-23

特点

1、低电阻:AO3400的静态电阻为0.035Ω,能够承受高电流,适合用于高功率应用。
  2、快速开关时间:AO3400的开关时间很快,能够提高转换效率。
  3、低漏电流:AO3400的漏电流非常小,可以减少系统的功耗。
  4、低电压控制:AO3400的门极电压很低,只需要2.5V,可以降低控制电路的复杂度。
  5、小型封装:AO3400采用SOT-23封装,厚度只有1.2mm,适合于小型化应用。

工作原理

AO3400是一种N沟道MOSFET,工作原理与普通MOSFET相同。当在门极施加正电压时,MOSFET的导通电阻很小,电流能够通过管子流过。当门极施加负电压时,MOSFET的导通电阻很大,电流无法通过管子流过。

应用

1、DC-DC转换器:AO3400可以用于DC-DC转换器的输出端,能够提供高电流输出,提高转换效率。
  2、电源管理:AO3400可以用于电源管理电路中,能够快速开关,降低功耗。
  3、负载开关:AO3400可以用于负载开关电路中,能够承受高电流,提供高效的负载开关控制。

设计流程

AO3400的设计流程包括以下几个步骤:
  1、确定应用场景:首先需要确定AO3400的应用场景,如DC-DC转换器、电源管理、负载开关等。
  2、选择合适的参数:根据应用场景,选择合适的参数,如电压、电流、功率等。
  3、电路设计:根据选定的参数,设计AO3400的电路,包括电源供应、控制信号、保护电路等。
  4、PCB设计:将电路设计转化为PCB布局,安排元件的位置和走线,保证电路的稳定性和可靠性。
  5、元器件选型:选择合适的元器件,如电容、电感、二极管等,以保证电路的稳定性和可靠性。
  6、焊接和测试:将元器件焊接到PCB上,进行电路测试,以确保电路的正常运行。

安装要点

1、确认AO3400的引脚位置:在安装AO3400之前,需要确认引脚位置和排列,以确保正确安装。
  2、清洁PCB板:在安装AO3400之前,需要清洁PCB板,以确保元器件的良好接触。
  3、适当加热:在焊接AO3400时,需要适当加热,以确保焊接质量和元器件的稳定性。
  4、防止静电:在安装AO3400时,需要防止静电干扰,以避免元器件损坏。
  5、确保接触良好:在安装AO3400时,需要确保引脚和PCB板的接触良好,以保证电路的稳定性和可靠性。

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AO3400参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.45V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)630 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式