时间：2025/9/14 2:28:00
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PSMN5R0-40MSHX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效能、高频率的电源转换应用，例如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及汽车电子系统等。PSMN5R0-40MSHX 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，能够提供高效、稳定的功率控制。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：160 A
最大漏源电压（Vds）：40 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：5.0 mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：6.5 mΩ @ Vgs=4.5V
最大功耗（Ptot）：200 W
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
PSMN5R0-40MSHX 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。该器件采用了LFPAK56封装技术，这种封装形式具有优异的热传导性能，有助于快速散热，提高器件在高温环境下的可靠性。此外，LFPAK56封装还具备较小的封装尺寸，使得在PCB布局时节省空间，非常适合高密度电源设计。
PSMN5R0-40MSHX 还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，使其在高频开关应用中表现出色。由于其较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），该MOSFET能够在高频下稳定工作，减少开关损耗并提高系统响应速度。此外，该器件具有较强的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的耐用性。
在汽车电子应用中，PSMN5R0-40MSHX 通过了AEC-Q101认证，符合汽车行业的严格可靠性标准。这使得它非常适合用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）等对可靠性要求极高的场合。
PSMN5R0-40MSHX 主要用于需要高效功率转换和高可靠性的场合。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、汽车电子控制系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其优异的导热性能和小尺寸封装，它在紧凑型电源设计中也具有广泛应用，例如高性能服务器电源、通信设备电源模块以及便携式高功率设备的电源管理电路。
SiZ104DT, IPB013N04LC, BSC050N04LS
