TSD2N60M 时间：2025/8/14 16:59:39 阅读：31

TSD2N60M 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术，具备高效率和低导通电阻的特性。该器件广泛应用于各类电源管理设备和功率转换系统，适用于需要高可靠性和高性能的场合。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：2A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大2.5Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　

特性

TSD2N60M 具有出色的导通性能，其低导通电阻显著降低了功率损耗，提高了整体系统的效率。同时，该器件具备较高的耐压能力，能够在高压环境下稳定工作。通过优化的沟槽栅设计，TSD2N60M 还提供了快速的开关特性，从而减少了开关损耗，适用于高频应用。此外，其坚固的封装结构确保了在恶劣环境中的高可靠性。
　　TSD2N60M 还内置了出色的热保护性能，能够承受较高的工作温度，避免因过热而损坏。这种特性使其在工业控制、电源适配器、照明设备和消费类电子产品中表现出色。此外，该MOSFET的栅极驱动要求较低，便于与常见的驱动电路兼容，进一步简化了电路设计。
　　从应用角度来看，TSD2N60M 在功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器以及负载开关等场景中表现出优异的性能。其高稳定性和宽温度适应性使其成为许多中功率应用的理想选择。

应用

TSD2N60M 主要用于各种功率电子设备中，包括电源适配器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、工业自动化设备和小型电机控制系统。此外，它也适用于需要高效能和高可靠性的消费电子产品和工业设备。由于其优异的开关性能和高耐压特性，该MOSFET非常适合用于功率因数校正（PFC）电路以及DC-DC转换器的设计中。