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TSD2N60M 发布时间 时间:2025/8/14 16:59:39 查看 阅读:24

TSD2N60M 是一款由东芝(Toshiba)推出的N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽栅技术,具备高效率和低导通电阻的特性。该器件广泛应用于各类电源管理设备和功率转换系统,适用于需要高可靠性和高性能的场合。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):2A
  漏极-源极击穿电压(VDS):600V
  栅极-源极电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):最大2.5Ω(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):30W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220
  

特性

TSD2N60M 具有出色的导通性能,其低导通电阻显著降低了功率损耗,提高了整体系统的效率。同时,该器件具备较高的耐压能力,能够在高压环境下稳定工作。通过优化的沟槽栅设计,TSD2N60M 还提供了快速的开关特性,从而减少了开关损耗,适用于高频应用。此外,其坚固的封装结构确保了在恶劣环境中的高可靠性。
  TSD2N60M 还内置了出色的热保护性能,能够承受较高的工作温度,避免因过热而损坏。这种特性使其在工业控制、电源适配器、照明设备和消费类电子产品中表现出色。此外,该MOSFET的栅极驱动要求较低,便于与常见的驱动电路兼容,进一步简化了电路设计。
  从应用角度来看,TSD2N60M 在功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器以及负载开关等场景中表现出优异的性能。其高稳定性和宽温度适应性使其成为许多中功率应用的理想选择。

应用

TSD2N60M 主要用于各种功率电子设备中,包括电源适配器、开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、工业自动化设备和小型电机控制系统。此外,它也适用于需要高效能和高可靠性的消费电子产品和工业设备。由于其优异的开关性能和高耐压特性,该MOSFET非常适合用于功率因数校正(PFC)电路以及DC-DC转换器的设计中。

替代型号

2N60, 2SK2545, IRF840, STP4NK60Z

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