时间：2025/9/14 8:01:38
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PSMN5R0-100ES,127 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于TrenchMOS系列。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高效能功率转换应用。PSMN5R0-100ES,127 采用LFPAK56（Power-SO8）封装形式，具有优异的热性能和可靠性，适合在高密度和高效率的电源系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：95 A
导通电阻（RDS(on)）：5 mΩ @ VGS = 10 V
功率耗散（Ptot）：120 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN5R0-100ES,127 具备多项优异特性，使其在功率MOSFET领域中表现突出。首先，其导通电阻仅为5 mΩ，极大地降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件支持高达95A的连续漏极电流，适用于大电流负载应用场景。其先进的沟槽结构设计在保持低RDS(on)的同时，也优化了开关性能，减少了开关损耗。
此外，该MOSFET采用了LFPAK56（Power-SO8）封装技术，具有良好的热管理能力，热阻低至30 K/W，确保在高负载条件下仍能维持稳定工作温度。该封装还具备高机械强度和优良的焊接可靠性，适用于自动化生产和回流焊工艺。
该器件的栅极驱动电压范围为-20 V至+20 V，兼容标准和逻辑电平驱动电路，便于与多种控制器和驱动IC配合使用。PSMN5R0-100ES,127 具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定，提高系统可靠性。
总体而言，PSMN5R0-100ES,127 在性能、效率和可靠性方面均表现出色，是一款适用于高要求功率应用的高性能MOSFET。
PSMN5R0-100ES,127 主要应用于需要高效功率转换和大电流处理能力的电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电动工具、电池供电设备、汽车电子（如车载充电系统和电机驱动）以及工业自动化设备等。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高效率的同步整流拓扑中，如LLC谐振转换器和相移全桥转换器。在电动工具和电池管理系统中，它可用于高功率开关电路，提供快速响应和可靠性能。此外，其优异的热性能使其适用于紧凑型电源设计，有助于减小系统体积并提高整体能效。
在汽车电子应用中，PSMN5R0-100ES,127 能够满足严格的AEC-Q101汽车级可靠性标准，适用于车载DC-DC转换器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）等应用。其高可靠性和耐久性也使其成为工业电机控制和电源分配系统的理想选择。
SiSS100N10NY-T1-GE3, IPB100N10N3 G, STD100N10F7AG, STB100N10F7AG
