时间：2025/5/10 11:40:36
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IPB60R099C6 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的 MOSFET 器件，属于 OptiMOS 系列。该器件采用 TO-252 封装形式，专为高效能开关应用设计，适用于汽车、工业以及消费电子领域。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率功率转换的理想选择。
IPB60R099C6 的额定电压为 60V，具有非常低的导通电阻（典型值为 9.9mΩ），这有助于降低传导损耗并提升系统效率。此外，该器件还具备出色的热性能和可靠性，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252
额定电压 (Vds)：60 V
额定电流 (Id)：48 A
导通电阻 (Rds(on))：9.9 mΩ
栅极电荷 (Qg)：17 nC
最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
漏源极电容 (Coss)：430 pF
阈值电压 (Vgs(th))：2.1 V
IPB60R099C6 拥有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（9.9mΩ），可有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 优化的栅极电荷（17nC），确保更低的开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种极端环境条件。
5. 高可靠性和耐用性，满足汽车级标准要求。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 出色的热性能表现，便于散热管理。
IPB60R099C6 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 工业设备中的 DC/DC 转换器。
4. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统。
5. LED 驱动器中的功率控制元件。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IPD60R099PFD
IPP60R099CP
BSC099N06NS5
