时间：2025/9/13 23:37:00
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PSMN4R8-100YSEX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能。该器件适用于多种电源管理和功率转换应用，能够提供高效的能量传输和良好的热稳定性。PSMN4R8-100YSEX采用标准的SOT404（TO-220AB）封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.8mΩ（典型值，VGS=10V）
最大功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：SOT404（TO-220AB）
PSMN4R8-100YSEX的特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)）为4.8mΩ，这使得该MOSFET在高电流应用中具有更低的导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了Nexperia先进的Trench肖特基技术，使得其在高频开关应用中表现优异，具备较低的开关损耗和良好的热性能。
该MOSFET的另一个显著特性是其高耐压能力，漏源电压（VDS）可达100V，适用于中高功率电源转换器、DC-DC变换器、电机控制和负载开关等应用。同时，其最大漏极电流高达60A，使其能够处理较大的负载电流，适合用于高功率密度设计。
PSMN4R8-100YSEX还具有良好的热管理能力，其封装形式（TO-220AB）能够有效地将热量传导至散热器，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适应多种严苛环境下的应用需求。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的10V或12V栅极驱动器进行控制，简化了驱动电路设计。其具备良好的短路耐受能力和抗雪崩击穿能力，提高了系统的可靠性和耐用性。
PSMN4R8-100YSEX广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）等，满足汽车级可靠性和耐久性要求。
PSMN5R8-100YSE, PSMN3R8-100YSEX, IPB06N04LA, IRF1405
