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IXSH15N120B 发布时间 时间:2025/8/6 8:15:58 查看 阅读:29

IXSH15N120B是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),专为高功率开关应用设计。该器件采用TO-247封装,具有良好的热稳定性和可靠性。作为一款NPN型晶体管,IXSH15N120B能够在高电压(最高1200V)和高电流(连续集电极电流可达15A)条件下工作,适用于电源转换、工业电机控制、逆变器和UPS系统等应用场景。

参数

类型: NPN双极型晶体管
  集电极-发射极击穿电压(VCEO): 1200V
  最大集电极电流(IC): 15A
  最大耗散功率(PD): 150W
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  封装形式: TO-247

特性

IXSH15N120B具备出色的开关性能和低饱和压降(VCE(sat)),在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。其高耐压能力使其适用于高压直流电源转换和高电压逆变器系统。此外,该晶体管采用先进的硅技术,具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
  该器件的封装设计(TO-247)提供了良好的散热性能,便于安装在散热片上,从而提高整体系统的热管理效率。IXSH15N120B还具有较高的短路耐受能力,适合在工业控制和电力电子系统中使用。
  在可靠性方面,IXSH15N120B符合严格的工业标准,并通过了多种环境测试,确保其在恶劣工作条件下仍能保持稳定的电气性能。这使得它在需要高可靠性和长寿命的应用中表现出色。

应用

IXSH15N120B广泛应用于高压功率电子设备中,包括不间断电源(UPS)、变频器、电机驱动器、电焊机、高压DC-DC转换器以及工业自动化控制系统。其高耐压和高电流能力使其成为电力电子系统中关键开关元件的理想选择。此外,该晶体管也常用于高频逆变器和功率因数校正电路中,适用于需要高效能功率控制的场合。

替代型号

IXSH15N120AF, IXSH15N120CH, IXSH15N120B2

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IXSH15N120B参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.4V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大150W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件