时间：2025/5/8 12:37:16
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PSMN4R8-100BSEJ 是一款由 NXP（恩智浦）生产的功率 MOSFET 芯片，属于 PSM 系列。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。
这款芯片的封装形式为 LFPAK56E（也称为 D2PAK-7），能够提供出色的散热性能，并且支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷（典型值）：93nC
反向恢复时间：30ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK56E
PSMN4R8-100BSEJ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 符合汽车级标准 AEC-Q101，确保在严苛条件下的可靠性。
5. 无铅环保设计，满足 RoHS 指令要求。
6. 具备强大的抗浪涌能力和鲁棒性，能够在恶劣电气环境下稳定运行。
7. 表面贴装封装，简化了 PCB 设计与制造流程。
PSMN4R8-100BSEJ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (Switching Power Supplies) 中的同步整流和主开关管。
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 的负载开关。
4. 汽车电子系统中的电机驱动和继电器替代方案。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换装置。
PSMN4R8-100BSA, PSMN4R8-100BSE
