5N65L-TN3-T 时间：2025/5/10 8:45:50 阅读：8

5N65L-TN3-T 是一种高压 N 沒道场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率放大等应用。它采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效能转换的领域。
　　该型号中的后缀 TN3-T 表示特定的封装形式和筛选等级，通常适用于对可靠性要求较高的工业或汽车级应用。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：2.8A
　　导通电阻：1.4Ω
　　栅极电荷：17nC
　　开关时间：ton=80ns, toff=35ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

5N65L-TN3-T 具备以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，适合高压环境下的应用。
　　2. 较低的导通电阻，在大电流条件下能够减少功率损耗。
　　3. 快速开关性能损耗。
　　4. 提供出色的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
　　5. 封装紧凑，便于设计和集成到各种电路中。

应用

该 MOSFET 广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动和控制电路。
　　3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统。
　　5. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，特别适合需要长时间稳定运行的场合。