时间：2025/9/15 4:19:10
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PSMN4R8-100BSE 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款功率MOSFET器件。该器件采用增强型垂直沟道结构，适用于高效率的功率开关应用。PSMN4R8-100BSE 具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适合用于电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。该器件采用TrenchMOS技术，提高了性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（在Tc=25°C时）
功耗（Ptot）：150W
导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ（最大值，Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
PSMN4R8-100BSE 功率MOSFET具有多个关键特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为4.8mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高电流处理能力使其能够在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，优化了电场分布，提高了器件的耐用性和可靠性。同时，其高栅极电压容限（±20V）允许使用标准的栅极驱动电路，简化了设计和使用过程。
PSMN4R8-100BSE 的封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的热性能，能够有效地将热量散发出去，从而保证器件在高功率工作状态下的稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业和汽车电子应用。
另一个显著优势是其宽工作温度范围（-55°C至175°C），使其能够适应极端环境条件，如高温或低温操作。这使得该器件在汽车电子、工业控制、电源管理和可再生能源系统中都非常适用。
PSMN4R8-100BSE MOSFET主要应用于需要高效率和高功率密度的系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电池充电器、负载开关、马达控制器和工业自动化设备中的功率开关电路。
在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池管理系统（BMS）。此外，它也可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电信电源系统等高可靠性要求的应用。
由于其低导通电阻和高电流能力，PSMN4R8-100BSE 在高频率开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗并提高整体系统效率。在电源转换器设计中，它可以作为主开关器件使用，也可用于并联配置以提高电流承载能力。
IPB065N10N3 G, FDD8882, STD60N10T4AG, IPPB90N10N3 G
