2SJ197 是一种双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型硅晶体管。该晶体管主要应用于高频和高功率场景,适用于射频放大、开关电路以及线性功率放大等应用。其设计注重在高频条件下提供优异的增益和稳定性,同时具备较高的集电极-发射极击穿电压和电流处理能力。
2SJ197 的制造工艺采用了先进的半导体技术,以确保器件在极端条件下的可靠性和耐用性。
最大集电极电流:3A
集电极-发射极击穿电压:200V
发射极-基极击穿电压::50W
过渡频率(fT):300MHz
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
2SJ197 具备以下显著特点:
1. 高频性能优越,适合射频应用及宽带放大器设计。
2. 能够承受较大的集电极电流和较高的击穿电压,适合高压或大功率场合。
3. 提供了较高的功率耗散能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
4. 其封装形式通常为金属壳体,有助于散热和电磁屏蔽,提升了器件的可靠性。
5. 应用领域广泛,涵盖通信设备、工业控制、医疗设备以及其他需要高性能晶体管的系统。
2SJ197 可用于以下场景:
1. 射频功率放大器,在无线通信基站中作为功率输出级。
2. 高频开关电路,例如电子镇流器、逆变器中的开关元件。
3. 线性功率放大放大的场合。
4. 工业自动化设备中的驱动电路,例如电机控制器。
5. 医疗设备中的信号处理与放大电路。
6. 测试测量仪器中的信号发生与放大功能模块。
2SC4892, 2SC4901, MJE350