时间：2025/9/14 13:05:59
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PSMN4R6-60BS,118是一款由Nexperia（原恩智浦半导体分立器件业务）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高效率功率转换和开关应用。该MOSFET封装在LFPAK56（也称为Power-SO8）封装中，具有优异的热性能和机械稳定性，适合用于汽车电子、工业控制、电源管理等高可靠性要求的场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：60 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：160 A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.6 mΩ（最大值，典型值为3.6 mΩ）
功耗（Ptot）：120 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN4R6-60BS,118采用了Nexperia的先进Trench MOSFET工艺，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其RDS(on)在典型工作条件下可低至3.6 mΩ，使其适用于高电流应用，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。该器件支持高达160A的连续漏极电流，在高功率密度设计中表现出色。
此外，该MOSFET采用LFPAK56封装，这是一种无引脚、双侧散热的封装形式，提供了优异的热管理和机械强度。与传统Power-SO8封装相比，LFPAK56封装具有更低的封装电阻和更高的焊接可靠性，能够承受更高的热循环应力，因此特别适用于汽车和工业应用。
PSMN4R6-60BS,118还具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），确保在极端环境下依然稳定工作。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准逻辑电平驱动器，便于在各种应用中集成。
PSMN4R6-60BS,118广泛应用于需要高效能、高可靠性的功率系统中。常见应用包括汽车电子中的电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器和逆变器；工业自动化中的电机驱动和电源管理模块；以及消费类电子产品中的高性能电源适配器和充电器。此外，该MOSFET也可用于服务器和通信设备的电源系统，提供高效率和高稳定性的功率开关功能。
PSMN5R8-60BS,118；PSMN3R8-60YS,118；IRF1324S-7PPBF；SiSS138DN-T1-GE3
