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PSMN4R6-60BS,118 发布时间 时间:2025/9/14 13:05:59 查看 阅读:36

PSMN4R6-60BS,118是一款由Nexperia(原恩智浦半导体分立器件业务)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于高效率功率转换和开关应用。该MOSFET封装在LFPAK56(也称为Power-SO8)封装中,具有优异的热性能和机械稳定性,适合用于汽车电子、工业控制、电源管理等高可靠性要求的场景。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):60 V
  栅源电压(VGS):±20 V
  连续漏极电流(ID):160 A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):4.6 mΩ(最大值,典型值为3.6 mΩ)
  功耗(Ptot):120 W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:LFPAK56(Power-SO8)

特性

PSMN4R6-60BS,118采用了Nexperia的先进Trench MOSFET工艺,具有极低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其RDS(on)在典型工作条件下可低至3.6 mΩ,使其适用于高电流应用,如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。该器件支持高达160A的连续漏极电流,在高功率密度设计中表现出色。
  此外,该MOSFET采用LFPAK56封装,这是一种无引脚、双侧散热的封装形式,提供了优异的热管理和机械强度。与传统Power-SO8封装相比,LFPAK56封装具有更低的封装电阻和更高的焊接可靠性,能够承受更高的热循环应力,因此特别适用于汽车和工业应用。
  PSMN4R6-60BS,118还具有宽泛的工作温度范围(-55°C 至 175°C),确保在极端环境下依然稳定工作。其栅极驱动电压范围为±20V,兼容标准逻辑电平驱动器,便于在各种应用中集成。

应用

PSMN4R6-60BS,118广泛应用于需要高效能、高可靠性的功率系统中。常见应用包括汽车电子中的电动助力转向(EPS)、电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器和逆变器;工业自动化中的电机驱动和电源管理模块;以及消费类电子产品中的高性能电源适配器和充电器。此外,该MOSFET也可用于服务器和通信设备的电源系统,提供高效率和高稳定性的功率开关功能。

替代型号

PSMN5R8-60BS,118;PSMN3R8-60YS,118;IRF1324S-7PPBF;SiSS138DN-T1-GE3

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PSMN4R6-60BS,118参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4426pF @ 30V
  • 功率 - 最大211W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-9492-6